Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5801TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 200V, TSOP-6

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont0.6A
Resistance, Rds On2.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTSOP
Termination TypeSMD
Application CodeSMPS
Current, Id Cont @ 25°C0.6A
Current, Id Cont @ 70°C0.48
Current, Idm Pulse4.8A
Power, Pd2W
Thermal Resistance, Junction to Case A62.5°C/W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V


IRF5801TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF5801TRPBF

Наименование IRF5801TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 211565
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF5801TRPBF, доступные на складе

Изображения IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5801TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,00 руб
от 107 шт. 11,40 руб
от 311 шт. 9,70 руб
от 676 шт. 9,00 руб
Наличие на складе
3600 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом