Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1

IKW40N120T2FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IKW40N120T2FKSA1 - high speed devices are used to reduce the size of the active components (25 kHz-70 kHz). High Speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design. 

  • Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
  • Low switching losses for high efficiency
  • Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
  • Fast switching behavior with low EMI emissions
  • Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
  • Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
  • Short circuit capability
  • Offering T j(max) of 175°C
  • Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom: PG-TO247-3 



IKW40N120T2FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IKW40N120T2FKSA1

Наименование IKW40N120T2FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2114689
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура

Аналоги IKW40N120T2FKSA1, доступные на складе

Цена (включая НДС)
411,00 руб
от 9 шт. 352,00 руб
от 19 шт. 323,00 руб
Наличие на складе
143 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом