Терраэлектроника

FF1400R17IP4BOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

FF1400R17IP4BOSA1

Характеристики:

  • Extended Operation Temperature T(tvj op)
  • High DC Stability
  • High Current Density
  • Low Switching Losses
  • V(vj op) = 150°C
  • Low Vce(sat)
  • Package with CTI > 400
  • High Creepage and Clearance Distances
  • High Power and Thermal Cycling Capability
  • Copper Base Plate
  • UL recognized

FF1400R17IP4BOSA1


FF1400R17IP4BOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры FF1400R17IP4BOSA1

НаименованиеFF1400R17IP4BOSA1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул2113688
Количество ключей
Корпус
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Ток

Аналоги FF1400R17IP4BOSA1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
57080,00 руб
Наличие на складе
2 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом