Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR4105PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont25A
Resistance, Rds On0.045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse100A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDIRFR5104
Power Dissipation46W
Power, Pd46W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.7°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Width, External6.8mm


IRFR4105PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR4105PBF

НаименованиеIRFR4105PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул211319
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFR4105PBF, доступные на складе

Изображения IRFR4105PBF

IRFR4105PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR4105PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR4105PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,40 руб
от 57 шт. 20,50 руб
от 150 шт. 17,60 руб
от 375 шт. 16,20 руб
Наличие на складе
12213 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом