Терраэлектроника

MUN5211DW1T1G, On Semiconductor

Bias Resistor Transistor

Transistor TypeSmall Signal Digital (BRT)
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo50V
Base Input Resistor, R110000ohm
Base-Emitter Resistor, R210000ohm


MUN5211DW1T1G, On Semiconductor

Параметры MUN5211DW1T1G

НаименованиеMUN5211DW1T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул211083
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора Ic
Базовый резистор R1
База-эмиттер резистор R2
R1 / R2
Кол-во выводов

Аналоги MUN5211DW1T1G, доступные на складе

  • Изображение  UMH11NTN

    UMH11NTN
    ROHM

    LS: Предделитель частоты СВЧ. Fвх=0.5...3ГГц. Pвх=-15...6дБм. Кд=2. Рвых=-7дБм. Uпит=5В/12мА. -40...85?С. SSOP8

  • Изображение  PUMH11.115

    PUMH11.115
    NEX-NXP

    TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363, REEL

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,80 руб
от 800 шт. 1,60 руб
от 2300 шт. 1,40 руб
от 4900 шт. 1,30 руб
Наличие на складе
3867 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом