Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MUN5211DW1T1G, On Semiconductor

Bias Resistor Transistor

Transistor TypeSmall Signal Digital (BRT)
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo50V
Base Input Resistor, R110000ohm
Base-Emitter Resistor, R210000ohm


MUN5211DW1T1G, On Semiconductor

Параметры MUN5211DW1T1G

Наименование MUN5211DW1T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 211083
Ток коллектора Ic
Ic макс. при 25°C
Uce/ Uds макс.
Кол-во выводов
Базовый резистор R1
База-эмиттер резистор R2
R1 / R2
Корпус
Digital Transistor Polarity

Аналоги MUN5211DW1T1G, доступные на складе

  • Изображение  UMH11NTN

    UMH11NTN
    ROHM

    LS: Предделитель частоты СВЧ. Fвх=0.5...3ГГц. Pвх=-15...6дБм. Кд=2. Рвых=-7дБм. Uпит=5В/12мА. -40...85?С. SSOP8

  • Изображение  PUMH11.115

    PUMH11.115
    NEX-NXP

    TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363, REEL

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,70 руб
от 900 шт. 1,50 руб
от 2500 шт. 1,30 руб
от 6000 шт. 1,20 руб
Наличие на складе
11885 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом