Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF630NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.3A
Resistance, Rds On0.3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ575pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel35nC
Current, Iar9.3A
Current, Idm Pulse37A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear8.2mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas94mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRF630NS
Power Dissipation82W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd82W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.3ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.83°C/W
Time, Fall15ns
Time, Rise14ns
Time, trr Typ117ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V


IRF630NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF630NSPBF

Наименование IRF630NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 210545
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для IRF630NSPBF

Аналоги IRF630NSPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF610SPBF

    IRF610SPBF
    VISH/IR

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:3.3A; Resistance, Rds On:1.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:10A; Depth, External:15.49mm; Length / Height, External:4.69mm; Power Dissipation:36W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF620SPBF

    IRF620SPBF
    VISH/IR

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:5.2A; Resistance, Rds On:0.8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:18A; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF620S; Power Dissipation:50W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF630NSTRLPBF

    IRF630NSTRLPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRF630SPBF

    IRF630SPBF
    VISH/IR

    MOSFET, N, 200V, 9A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF630NSPBF

IRF630NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF630NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF630NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
99,00 руб
от 14 шт. 86,50 руб
от 41 шт. 74,50 руб
от 100 шт. 68,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом