Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6665TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SH

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont4.2A
Resistance, Rds On53mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSH
Termination TypeSMD
Base Number6665
Current, Idm Pulse34A
Marking, SMD2.2
Power Dissipation2.2mW
Voltage, Vds100V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


Параметры IRF6665TR1PBF

НаименованиеIRF6665TR1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул209994
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Документация для IRF6665TR1PBF

Аналоги IRF6665TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6665TRPBF

    IRF6665TRPBF
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET,

  • Изображение  IRF6665TR1

    IRF6665TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, SH; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:19A; Resistance, Rds On:53mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
162,00 руб
от 9 шт. 142,00 руб
от 25 шт. 121,00 руб
от 53 шт. 111,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом