Терраэлектроника

IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 40A, TO-220AB

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Power Dissipation215W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed80A
Power, Pd215W
Time, Rise5ns
Voltage, Vceo600V


IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB20B60PD1PBF

НаименованиеIRGB20B60PD1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул209517
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRGB20B60PD1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRGB4061DPBF

    IRGB4061DPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:36A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V; Power Dissipation:206W;…

  • Изображение  IRGB20B60PD1

    IRGB20B60PD1
    INFIN

    IGBT-транзистор+диод. 600V. 40A.

  • Изображение  IRGB4062DPBF

    IRGB4062DPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, COPAK, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:48A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V;…

Изображения IRGB20B60PD1PBF

IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
134,00 руб
от 11 шт. 117,50 руб
от 30 шт. 100,50 руб
от 65 шт. 92,50 руб
Наличие на складе
827 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом