Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V


IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3713PBF

Наименование IRL3713PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209409
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRL3713PBF, доступные на складе

Изображения IRL3713PBF

IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,50 руб
от 36 шт. 83,50 руб
от 77 шт. 77,00 руб
Наличие на складе
1186 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом