Терраэлектроника

IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V


IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3713PBF

НаименованиеIRL3713PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул209409
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRL3713PBF, доступные на складе

Изображения IRL3713PBF

IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
122,50 руб
от 12 шт. 107,00 руб
от 34 шт. 92,00 руб
от 74 шт. 84,50 руб
Наличие на складе
234 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом