Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3705NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, 55V, 89A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont89A
Resistance, Rds On0.01ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3600pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel98nC
Current, Iar46A
Current, Idm Pulse310A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear1.7mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas340mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDL3705NS
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.01ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Time, Fall78ns
Time, Rise140ns
Time, trr Typ94ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V


IRL3705NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3705NSPBF

Наименование IRL3705NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209035
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRL3705NSPBF, доступные на складе

Изображения IRL3705NSPBF

IRL3705NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
129,00 руб
от 27 шт. 111,00 руб
от 50 шт. 102,00 руб
Наличие на складе
318 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом