Терраэлектроника

GS66508T-E02-TY, GaN Systems

Характеристики GaN-транзистора GS66508T:
• Рейтинг напряжения: 650 В;
• Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм;
• Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм;
• Максимальный токе стока: 30А;
• Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В;
• Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В;
• Рабочая частота: более 100 МГц;
• Расположение теплоотводящей площадки: сверху;
• Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.

Ограничение ввоза


GS66508T-E02-TY, GaN Systems

Параметры GS66508T-E02-TY

НаименованиеGS66508T-E02-TY
ПроизводительGaN Systems (GAN)
Артикул2090044
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
4260,42 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом