Терраэлектроника

MMBT2907ALT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityDual P
Voltage, Vceo60V
Current, Ic Continuous a Max500mA
Voltage, Vce Sat Max0.4V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min50
ft, Typ200MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Ic hFE300mA
Power, Ptot0.3W


MMBT2907ALT1G, On Semiconductor

Параметры MMBT2907ALT1G

НаименованиеMMBT2907ALT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул208958
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBT2907ALT1G, доступные на складе

Изображения MMBT2907ALT1G

MMBT2907ALT1G, On Semiconductor MMBT2907ALT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
0,90 руб
от 1600 шт. 0,78 руб
от 4400 шт. 0,67 руб
от 9000 шт. 0,62 руб
Наличие на складе
62629 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом