Терраэлектроника

BAS21.215, NXP SEMICONDUCTORS

Диод: 200 В, 0.625 А,


BAS21.215, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BAS21.215

НаименованиеBAS21.215
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул208339
Корпус
Прямое напряжение
Прямой ток диода (средний)
Кол-во диодов в корпусе
Макс. обратное напряжение диода
Кол. диодов в корпусе
Uобр макс, В
Iпр пост, А
Uпр, В
tвосс, нс
Ток Ifsm Макс
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Серия

Аналоги BAS21.215, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения BAS21.215

BAS21.215, NXP SEMICONDUCTORS BAS21.215, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,10 руб
от 1400 шт. 0,94 руб
от 3900 шт. 0,81 руб
от 9000 шт. 0,74 руб
Наличие на складе
139498 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом