Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 100V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont180A
Resistance, Rds On0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4110
Charge, Gate N-channel150nC
Current, Idm Pulse670A
Pins, No. of3
Power Dissipation370mW
Power, Pd370W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4110PBF

Наименование IRFB4110PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 208302
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB4110PBF, доступные на складе

Изображения IRFB4110PBF

IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
153,00 руб
от 10 шт. 134,00 руб
от 27 шт. 115,00 руб
от 50 шт. 105,00 руб
Наличие на складе
3746 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом