Терраэлектроника

IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont180A
Resistance, Rds On0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4110
Charge, Gate N-channel150nC
Current, Idm Pulse670A
Pins, No. of3
Power Dissipation370mW
Power, Pd370W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4110PBF

НаименованиеIRFB4110PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул208302
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB4110PBF, доступные на складе

Изображения IRFB4110PBF

IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4110PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
176,00 руб
от 9 шт. 154,00 руб
от 24 шт. 132,00 руб
от 50 шт. 121,00 руб
Наличие на складе
4857 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом