Терраэлектроника

IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max57A
Voltage, Vce Sat Max1.47V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed114A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max638ns
Time, Rise29ns
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50SPBF

НаименованиеIRG4PH50SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул207746
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PH50SPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50S

    IRG4PH50S
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:57A; Voltage, Vce Sat Max:1.47V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:114A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH50S-EPBF

    IRG4PH50S-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH50SPBF

IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
232,50 руб
от 6 шт. 203,50 руб
от 17 шт. 174,50 руб
от 37 шт. 160,00 руб
Наличие на складе
317 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом