Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJE5852G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, TO-220AB

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo400V
Current, Ic Continuous a Max8A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation80W
Hfe, Min5
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Application CodePHVS
Current, Ib4.0A
Current, Ic @ Vce Sat4.0A
Current, Ic Max8A
Current, Ic av8.0A
Current, Ic hFE5mA
Depth, External4.82mm
Device MarkingMJE5852
Length / Height, External30.02mm
Pins, No. of3
Power, Ptot80W
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-65°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.25°C/W
Time, Fall @ Ic0.5чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vces450V
Width, External10.28mm


MJE5852G, On Semiconductor

Параметры MJE5852G

НаименованиеMJE5852G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул206820
Рассеиваемая мощность
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Корпус

Аналоги MJE5852G, доступные на складе

Изображения MJE5852G

MJE5852G, On Semiconductor MJE5852G, On Semiconductor MJE5852G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
134,00 руб
от 11 шт. 117,00 руб
от 30 шт. 100,00 руб
от 64 шт. 91,50 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом