Терраэлектроника

IRFR120NTRLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds100V
Continuous Drain Current, Id9.4A
On Resistance, Rds(on)210mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseDPAK


Параметры IRFR120NTRLPBF

НаименованиеIRFR120NTRLPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул206007
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение затвора
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRFR120NTRLPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFR120ZPBF

    IRFR120ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:8.7A; Resistance, Rds On:0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Base Number:120; Current, Idm Pulse:35A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFR120NTRPBF

    IRFR120NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом