Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF630, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 200 В
Iс(25°C) 9 А
Rси(вкл) 0.4 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 31 нКл


IRF630, STMicroelectronics

Параметры IRF630

Наименование IRF630
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 20572
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRF630, доступные на складе

  • Изображение  IRF630N

    IRF630N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF630NPBF

    IRF630NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4020PBF

    IRFB4020PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

Изображения IRF630

IRF630, STMicroelectronics IRF630, STMicroelectronics IRF630, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,10 руб
от 50 шт. 22,80 руб
от 150 шт. 19,60 руб
от 350 шт. 18,00 руб
Наличие на складе
4889 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом