Терраэлектроника

IRF630, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 200 В
Iс(25°C) 9 А
Rси(вкл) 0.4 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 31 нКл


IRF630, ST Microelectronics

Параметры IRF630

НаименованиеIRF630
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул20572
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF630, доступные на складе

  • Изображение  IRF630NPBF

    IRF630NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF630N

    IRF630N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4020PBF

    IRFB4020PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

Изображения IRF630

IRF630, ST Microelectronics IRF630, ST Microelectronics IRF630, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
28,50 руб
от 50 шт. 25,00 руб
от 150 шт. 21,50 руб
от 300 шт. 19,50 руб
Наличие на складе
4056 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом