Терраэлектроника

SEMIX352GB128DS, Semikron Inc.

IGBT MODULE, 2X1200V

Transistor TypeIGBT Module
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max370A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Case StyleSEMiX 2s
Termination TypeScrew
Current, Ic av370A
Current, Icm Pulsed400A
Current, Ifs Max2000A
Time, Rise55ns
Voltage, Vceo1.15V
Voltage, Vrrm1200V


Параметры SEMIX352GB128DS

НаименованиеSEMIX352GB128DS
ПроизводительSemikron Inc. (SMK)
Артикул205512

Аналоги SEMIX352GB128DS, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом