Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPW35N60CFD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, COOLMOS, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont34.1A
Resistance, Rds On0.118ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Id Cont @ 25°C34.1A
Current, Idm Pulse85A
Pins, No. of3
Power Dissipation313W
Power, Pd313W
Power, Ptot313W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds600V
Voltage, Vds Max600V
Voltage, Vgs th Max5V


SPW35N60CFD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SPW35N60CFD

Наименование SPW35N60CFD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 204142
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги SPW35N60CFD, доступные на складе

Изображения SPW35N60CFD

SPW35N60CFD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPW35N60CFD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом