Терраэлектроника

IRFB4212PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On0.0725ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4212
Charge, Gate N-channel15nC
Current, Idm Pulse57A
Pins, No. of3
Power Dissipation60mW
Power, Pd60W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


Параметры IRFB4212PBF

НаименованиеIRFB4212PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул203546
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB4212PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF530N

    IRF530N
    IR

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:15A; Resistance, Rds On:0.11ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:60A; Device Marking:IRF530N; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IRF520PBF

    IRF520PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 9.2A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:9.2A; Resistance, Rds On:0.27ohm;…

  • Изображение  IRF530PBF

    IRF530PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 14A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
93,50 руб
от 16 шт. 81,50 руб
от 50 шт. 70,00 руб
от 100 шт. 64,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом