Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6637TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MP

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMP
Termination TypeSMD
Base Number6637
Current, Idm Pulse110A
Marking, SMD2.3
Power Dissipation2.3mW
Voltage, Vds30V
Voltage, Vgs th Max2.35V
Voltage, Vgs th Min1.35V


Параметры IRF6637TR1PBF

Наименование IRF6637TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 203458
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF6637TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6637TR1

    IRF6637TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:5.7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRF6637TRPBF

    IRF6637TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
185,00 руб
от 8 шт. 162,00 руб
от 23 шт. 139,00 руб
от 49 шт. 127,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом