Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSP52T1G, On Semiconductor

Darlington Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo80V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.3V
DC Current Gain Min (hfe)2000
Package/CaseSOT-223


BSP52T1G, On Semiconductor

Параметры BSP52T1G

Наименование BSP52T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 202985
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BSP52T1G, доступные на складе

  • Изображение  BSP52T3G

    BSP52T3G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  BCV47.215

    BCV47.215
    NEX-NXP

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Изображения BSP52T1G

BSP52T1G, On Semiconductor BSP52T1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,20 руб
от 261 шт. 11,30 руб
от 569 шт. 10,40 руб
Наличие на складе
46750 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом