Терраэлектроника

BSP52T1G, On Semiconductor

Darlington Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo80V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.3V
DC Current Gain Min (hfe)2000
Package/CaseSOT-223


BSP52T1G, On Semiconductor

Параметры BSP52T1G

НаименованиеBSP52T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул202985
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BSP52T1G, доступные на складе

  • Изображение  BSP52T3G

    BSP52T3G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  BCV47.215

    BCV47.215
    NEX-NXP

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Изображения BSP52T1G

BSP52T1G, On Semiconductor BSP52T1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
9,20 руб
от 150 шт. 8,10 руб
от 430 шт. 6,90 руб
от 1000 шт. 6,40 руб
Наличие на складе
24513 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом