Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSP52T1G, On Semiconductor

Darlington Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo80V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.3V
DC Current Gain Min (hfe)2000
Package/CaseSOT-223


BSP52T1G, On Semiconductor

Параметры BSP52T1G

Наименование BSP52T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 202985
Vce макс.
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус

Аналоги BSP52T1G, доступные на складе

  • Изображение  BCV47.215

    BCV47.215
    NEX-NXP

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-23

  • Изображение  BSP52T3G

    BSP52T3G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

Изображения BSP52T1G

BSP52T1G, On Semiconductor BSP52T1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,70 руб
от 85 шт. 14,60 руб
от 246 шт. 12,50 руб
от 535 шт. 11,50 руб
Наличие на складе
5077 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом