Терраэлектроника

MMBT3906LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityDual P
Voltage, Vceo40V
Current, Ic Continuous a Max50mA
Voltage, Vce Sat Max0.25V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min30
ft, Typ250MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Ic hFE300mA
Power, Ptot0.3W


MMBT3906LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBT3906LT1G

НаименованиеMMBT3906LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул202859
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBT3906LT1G, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G, On Semiconductor MMBT3906LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
0,88 руб
от 1700 шт. 0,77 руб
от 4800 шт. 0,66 руб
от 9000 шт. 0,61 руб
Наличие на складе
30757 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом