Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.25V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed204A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max190ns
Time, Rise52ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50WD

Наименование IRG4PF50WD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 20225
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PF50WD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50WDPBF

    IRG4PF50WDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:900V; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.25V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:204A; Device Marking:IRG4PF50WDPBF; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PF50WD-201P

    IRG4PF50WD-201P
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRG4PF50WD

IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
767,00 руб
от 2 шт. 671,00 руб
от 6 шт. 575,00 руб
от 12 шт. 528,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом