Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.25V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed204A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max190ns
Time, Rise52ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50WD

НаименованиеIRG4PF50WD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул20225
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус

Аналоги IRG4PF50WD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50WDPBF

    IRG4PF50WDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:900V; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.25V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:204A; Device Marking:IRG4PF50WDPBF; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PF50WD-201P

    IRG4PF50WD-201P
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRG4PF50WD

IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50WD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
744,00 руб
от 2 шт. 651,00 руб
от 6 шт. 558,00 руб
от 12 шт. 512,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом