Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI640GPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.8A
Resistance, Rds On0.18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse39A
Pins, No. of3
Power Dissipation40W
Power, Pd40W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


Параметры IRFI640GPBF

Наименование IRFI640GPBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 201320
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRFI640GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFI4227PBF

    IRFI4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantFast SwitchingVery Low Gate ChargeRepetitive Avalanche…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
83,50 руб
от 17 шт. 73,00 руб
от 50 шт. 62,50 руб
от 100 шт. 57,50 руб
Наличие на складе
2289 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом