Терраэлектроника

IRF3711SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 20V, 110A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont110A
Resistance, Rds On0.006ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse440A
Power Dissipation120W
Power, Pd120W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.006ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.04°C/W
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max3V


IRF3711SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3711SPBF

НаименованиеIRF3711SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул201063
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF3711SPBF, доступные на складе

Изображения IRF3711SPBF

IRF3711SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3711SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3711SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
83,50 руб
от 16 шт. 73,00 руб
от 50 шт. 63,00 руб
от 100 шт. 57,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом