Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1010NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont84A
Resistance, Rds On0.011ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse290A
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A40°C/W
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF1010NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010NSPBF

Наименование IRF1010NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 200774
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF1010NSPBF, доступные на складе

Изображения IRF1010NSPBF

IRF1010NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,50 руб
от 24 шт. 51,50 руб
от 70 шт. 44,00 руб
от 150 шт. 40,40 руб
Наличие на складе
73 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом