Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 13A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation90W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed26A
Power, Pd90W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V


IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB6B60KDPBF

Наименование IRGB6B60KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 200513
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGB6B60KDPBF, доступные на складе

Изображения IRGB6B60KDPBF

IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
198,00 руб
от 8 шт. 174,00 руб
от 21 шт. 149,00 руб
от 50 шт. 137,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом