Терраэлектроника

IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 13A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation90W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed26A
Power, Pd90W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V


IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB6B60KDPBF

НаименованиеIRGB6B60KDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул200513
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRGB6B60KDPBF, доступные на складе

Изображения IRGB6B60KDPBF

IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
202,00 руб
от 8 шт. 176,50 руб
от 21 шт. 151,50 руб
от 50 шт. 139,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом