Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V


IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF5210

Наименование IRF5210
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 20034
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF5210

Аналоги IRF5210, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210PBF

    IRF5210PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

Изображения IRF5210

IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
104,00 руб
от 34 шт. 89,00 руб
от 72 шт. 81,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом