Терраэлектроника

IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V


IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF5210

НаименованиеIRF5210
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул20034
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF5210, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210PBF

    IRF5210PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

Изображения IRF5210

IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
119,50 руб
от 12 шт. 104,50 руб
от 34 шт. 89,50 руб
от 72 шт. 82,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом