Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max150ns
Time, Rise59ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH40UD

Наименование IRG4PH40UD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 19953
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PH40UD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH40UD2-EP

    IRG4PH40UD2-EP
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG4PH40UDPBF

    IRG4PH40UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 30A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH40UD2-E

    IRG4PH40UD2-E
    INFIN

    IGBT-транзистор+диод. 1200V. 41A.

  • Изображение  IRG4PH40UD-E

    IRG4PH40UD-E
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

  • Изображение  IRG4PH40UD-EPBF

    IRG4PH40UD-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH40UD

IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
221,00 руб
от 16 шт. 189,00 руб
от 34 шт. 174,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом