Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max150ns
Time, Rise59ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH40UD

Наименование IRG4PH40UD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 19953
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PH40UD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH40UD2-E

    IRG4PH40UD2-E
    INFIN

    IGBT-транзистор+диод. 1200V. 41A.

  • Изображение  IRG4PH40UDPBF

    IRG4PH40UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 30A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH40UD-EPBF

    IRG4PH40UD-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG4PH40UD-E

    IRG4PH40UD-E
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

  • Изображение  IRG4PH40UD2-EP

    IRG4PH40UD2-EP
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH40UD

IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH40UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
258,00 руб
от 6 шт. 226,00 руб
от 16 шт. 194,00 руб
от 34 шт. 178,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом