Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont1.2A
Resistance, Rds On0.73ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Pin Configuration(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd2.5W
Time, Fall15ns
Time, Rise9.5ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs Max30V


IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7493PBF

Наименование IRF7493PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 199460
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF7493PBF, доступные на складе

Изображения IRF7493PBF

IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
45,40 руб
от 31 шт. 39,70 руб
от 95 шт. 34,10 руб
от 190 шт. 31,30 руб
Наличие на складе
1348 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом