Терраэлектроника

IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont1.2A
Resistance, Rds On0.73ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Pin Configuration(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd2.5W
Time, Fall15ns
Time, Rise9.5ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs Max30V


IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7493PBF

НаименованиеIRF7493PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул199460
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF7493PBF, доступные на складе

Изображения IRF7493PBF

IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7493PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
40,00 руб
от 34 шт. 35,00 руб
от 95 шт. 30,00 руб
от 190 шт. 27,50 руб
Наличие на складе
986 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом