Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On0.0205ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateTO-251
Current, Idm Pulse52A
Length, Lead9.65mm
Marking, SMDIRFU5410PBF
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation66W
Power, Pd66W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, t Off45ns
Time, t On15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFU5410PBF

Наименование IRFU5410PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 199376
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)

Изображения IRFU5410PBF

IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом