Терраэлектроника

MMBT5551LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo160V
Current, Ic Continuous a Max50mA
Voltage, Vce Sat Max0.15V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min80
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


MMBT5551LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBT5551LT1G

НаименованиеMMBT5551LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул199123
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBT5551LT1G, доступные на складе

  • Изображение  PMBT5551.215

    PMBT5551.215
    NXP

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, 160V, 300MA, SOT-23-3

  • Изображение  MMBT5551LT3G

    MMBT5551LT3G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

Изображения MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G, On Semiconductor MMBT5551LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,50 руб
от 1000 шт. 1,40 руб
от 3000 шт. 1,20 руб
от 6000 шт. 1,10 руб
Наличие на складе
210440 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом