Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDS6670A, Fairchild Semiconductor Corp.

LS: полупроводн.


Параметры FDS6670A

Наименование FDS6670A
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 197887
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги FDS6670A, доступные на складе

  • Изображение  IRF8736PBF

    IRF8736PBF
    INFIN

    MOSFET, N SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.0048ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  STS12NF30L

    STS12NF30L
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 9 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 35 нКл

  • Изображение  BSO203SPHXUMA1

    BSO203SPHXUMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

  • Изображение  BSO130P03SHXUMA1

    BSO130P03SHXUMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом