Терраэлектроника

MJ11016G, On Semiconductor

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

Transistor TypeBipolar Darlington
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo120V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3V
Power Dissipation200W
Hfe, Min1000
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateTO-204AA
Current, Ic Max30A
Current, Ic av30A
Current, Ic hFE20A
Device MarkingMJ11016
Pins, No. of2
Power, Ptot200W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo120V
ft, Min4MHz


MJ11016G, On Semiconductor

Параметры MJ11016G

НаименованиеMJ11016G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул197453
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJ11016G, доступные на складе

  • Изображение  MJ11016

    MJ11016
    ONS

    Транзистор биполярный

  • Изображение  MJ11016

    MJ11016
    MULTCMP

    TRANSISTOR, DARLINGTON TO-3; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-3 (TO-204AA); Current, Ic Max:30A; Current, Ic av:30A; Current, Ic hFE:20A; Pins, No.…

Изображения MJ11016G

MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
269,00 руб
от 5 шт. 235,00 руб
от 15 шт. 202,00 руб
от 32 шт. 185,00 руб
Наличие на складе
326 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом