Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJ11016G, On Semiconductor

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

Transistor TypeBipolar Darlington
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo120V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3V
Power Dissipation200W
Hfe, Min1000
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateTO-204AA
Current, Ic Max30A
Current, Ic av30A
Current, Ic hFE20A
Device MarkingMJ11016
Pins, No. of2
Power, Ptot200W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo120V
ft, Min4MHz


MJ11016G, On Semiconductor

Параметры MJ11016G

Наименование MJ11016G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 197453
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJ11016G, доступные на складе

  • Изображение  MJ11016

    MJ11016
    ONS

    Транзистор биполярный

  • Изображение  MJ11016

    MJ11016
    MULTCMP

    TRANSISTOR, DARLINGTON TO-3; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-3 (TO-204AA); Current, Ic Max:30A; Current, Ic av:30A; Current, Ic hFE:20A; Pins, No.…

Изображения MJ11016G

MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor MJ11016G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
227,00 руб
от 16 шт. 194,00 руб
от 34 шт. 178,00 руб
Наличие на складе
31 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом