Терраэлектроника

MMBTA64LT1G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo30V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.5V
Power Dissipation, Pd0.3W
DC Current Gain Min (hfe)20000
Package/CaseSOT-23


MMBTA64LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBTA64LT1G

НаименованиеMMBTA64LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул197345
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом