Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MMBTH10LT1, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:


MMBTH10LT1, On Semiconductor

Параметры MMBTH10LT1

Наименование MMBTH10LT1
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 19583
Рассеиваемая мощность
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Корпус

Аналоги MMBTH10LT1, доступные на складе

  • Изображение  MMBTH10LT1G

    MMBTH10LT1G
    ONS

    TRANSISTOR, NPN; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:25V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:0.5V; Power Dissipation:225mW;…

Изображения MMBTH10LT1

MMBTH10LT1, On Semiconductor MMBTH10LT1, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом