Терраэлектроника

MMBT3904LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo40V
Current, Ic Continuous a Max50mA
Voltage, Vce Sat Max0.2V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min30
ft, Typ300MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Ic hFE300mA
Power, Ptot0.3W


MMBT3904LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBT3904LT1G

НаименованиеMMBT3904LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул195707
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBT3904LT1G, доступные на складе

Средства разработки для MMBT3904LT1G

  • Изображение  DL-PMOD-OC1

    DL-PMOD-OC1
    DIGILENT

    Дочерний модуль с открытым коллектором, который может управлять can-прибор, потребляющий высокий ток, используя выходной транзистор MMBT3904.

Изображения MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G, On Semiconductor MMBT3904LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
0,88 руб
от 1700 шт. 0,77 руб
от 4800 шт. 0,67 руб
от 9000 шт. 0,61 руб
Наличие на складе
93928 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом