Терраэлектроника

MJD117T4, ST Microelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц


MJD117T4, ST Microelectronics

Параметры MJD117T4

НаименованиеMJD117T4
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул195084
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD117T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4G

    MJD117T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117G

    MJD117G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

Изображения MJD117T4

MJD117T4, ST Microelectronics MJD117T4, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,00 руб
от 90 шт. 14,00 руб
от 260 шт. 12,00 руб
от 566 шт. 11,00 руб
Наличие на складе
1735 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом