Терраэлектроника

IRFBG20PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 1000V, 1.4A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont1.3A
Resistance, Rds On11.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.2A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation50W
Power, Pd50W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.3°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V


IRFBG20PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFBG20PBF

НаименованиеIRFBG20PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул193467
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения IRFBG20PBF

IRFBG20PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBG20PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBG20PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
55,50 руб
от 25 шт. 49,00 руб
от 72 шт. 42,00 руб
от 150 шт. 38,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом