Терраэлектроника

MJE18004G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, TO-220

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo450V
Current, Ic Continuous a Max2.5A
Voltage, Vce Sat Max0.45V
Power Dissipation75W
Hfe, Min6
ft, Typ13MHz
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Application CodePHVS
Current, Ic Max5A
Current, Ic hFE2A
Pins, No. of3
Power, Ptot75W
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Inductive Switching2.5чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo10V dc
Voltage, Vces1000V


MJE18004G, On Semiconductor

Параметры MJE18004G

НаименованиеMJE18004G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул19090
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.

Изображения MJE18004G

MJE18004G, On Semiconductor MJE18004G, On Semiconductor MJE18004G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
54,50 руб
от 25 шт. 47,80 руб
от 72 шт. 41,00 руб
от 150 шт. 37,60 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом