Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PC50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max55A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed220A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max110ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50UDPBF

НаименованиеIRG4PC50UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул190757
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PC50UDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50UD

    IRG4PC50UD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:55A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:220A; Pins, No.…

Изображения IRG4PC50UDPBF

IRG4PC50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
273,00 руб
от 5 шт. 239,00 руб
от 15 шт. 205,00 руб
от 25 шт. 188,00 руб
Наличие на складе
835 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом