Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2103ENGRT, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 40V
EPC2103ENGRT, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2103ENGRT

НаименованиеEPC2103ENGRT
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1905244

Сопутствующие товары для EPC2103ENGRT

  • Изображение  EPC9039

    EPC9039
    EPC

    Макетная плата на основе симметричной 80-ти вольтной eGaN сборки транзисторов eGaN EPC2103 с максимальным током до 17 А.

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1319,92 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом