Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N7002LT1G, On Semiconductor

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont0.115A
Resistance, Rds On7.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse0.8A
Depth, External2.5mm
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD702
Pins, No. of3
Power Dissipation0.2W
Power, Pd0.2W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max2.5V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


2N7002LT1G, On Semiconductor

Параметры 2N7002LT1G

Наименование 2N7002LT1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 190431
Тмакс,°C
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность

Аналоги 2N7002LT1G, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения 2N7002LT1G

2N7002LT1G, On Semiconductor 2N7002LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,30 руб
от 3000 шт. 1,10 руб
от 6000 шт. 0,96 руб
Наличие на складе
558 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом