Терраэлектроника

IRGP4790PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

650V Ultrafast IGBT

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • Low VCE(ON) and Switching Losses
  • 5.5µs Short Circuit SOA
  • Square RBSOA
  • Maximum Junction Temperature 175°C
  • Positive VCE(ON) Temperature Coefficient
  • Lead-Free, RoHs compliant

Параметры IRGP4790PBF

НаименованиеIRGP4790PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1901946
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом