Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

GS66508P-E03-TY, GaN Systems

GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал.
  Vds:  650 V  
  Vgs:  10 V  
  Id :  30 A  
  Rds On :  52 mOhms
  Qg:  6.5 nC  
  Ciss :  180 pF
GS66508P-E03-TY, GaN Systems

Параметры GS66508P-E03-TY

Наименование GS66508P-E03-TY
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 1895271
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
5240,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом