Терраэлектроника

GS66508P-E03-TY, GaN Systems

GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал.
Vds: 650 V
Vgs: 10 V
Id : 30 A
Rds On : 52 mOhms
Qg: 6.5 nC
Ciss : 180 pF

Ограничение ввоза


GS66508P-E03-TY, GaN Systems

Параметры GS66508P-E03-TY

НаименованиеGS66508P-E03-TY
ПроизводительGaN Systems (GAN)
Артикул1895271
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
5448,52 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом