Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

DN3545N3-G, Microchip Technology Inc.

DN3545N3-G - МОП-транзистор 450V 20Ohm

Отличительные характеристики:

  • Полярность транзистора: N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток: 450 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 20 V
  • Id - непрерывный ток утечки: 136 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 20 Ohms
  • Конфигурация: Single
  • Максимальная рабочая температура: + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности: 740 mW
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Упаковка / блок: TO-92-3
  • Упаковка: Bulk        
  • Канальный режим: Depletion
  • Время спада: 30 ns
  • Минимальная рабочая температура: - 55 C
  • Время нарастания: 30 ns
  • Типичное время задержки выключения:  30 ns

DN3545N3-G - МОП-транзистор


DN3545N3-G, Microchip Technology Inc.

Параметры DN3545N3-G

Наименование DN3545N3-G
Производитель Microchip Technology Inc. (MCRCH)
Артикул 1892165
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для DN3545N3-G

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
61,00 руб
от 57 шт. 52,00 руб
от 123 шт. 47,90 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом