Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

M27C2001-10F1, STMicroelectronics

Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 2 МБит (256Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 100 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.


M27C2001-10F1, STMicroelectronics

Параметры M27C2001-10F1

НаименованиеM27C2001-10F1
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул18904
Организация памяти
Uпит, В
Время доступа, нс
Iпотр/Istnb мА/мкА
Температурный диапазон, °С

Аналоги M27C2001-10F1, доступные на складе

  • Изображение  M27C2001-15F1

    M27C2001-15F1
    ST

    Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 2 МБит (256Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.

  • Изображение  M27C2001-12F1

    M27C2001-12F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 2 Мбит; Организация: 256Kx8; Скорость: 120ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  M27C2001-10F1

    M27C2001-10F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 2 Мбит; Организация: 256Kx8; Скорость: 100ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  M27C2001-15XF1

    M27C2001-15XF1
    ST

    Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 2 МБит (256Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-5%. Температурный диапазон 0/+70 С.

Показать все сопутствующие товары
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом