Терраэлектроника

MMBTH10LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo25V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max0.5V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min60
ft, Typ650MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Power, Ptot0.3W


MMBTH10LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBTH10LT1G

НаименованиеMMBTH10LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул188524
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBTH10LT1G, доступные на складе

  • Изображение  MMBTH10LT3G

    MMBTH10LT3G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

Изображения MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G, On Semiconductor MMBTH10LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
3,90 руб
от 400 шт. 3,40 руб
от 1100 шт. 2,90 руб
от 2300 шт. 2,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом